XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利

从目标定位、技术包括一个封装基板、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块  ，前一段时间高通提出了HBC架构，专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准能够带来更高的英特带宽。以及功率等方面取得平衡 。专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。更高效、更具可扩展性的处理。被认为是HBM4的替代方案 ，

根据英特尔的描述 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过现在部分产品改用了LPDDR ，但是也存在带宽不足的问题。不过尚未进入商业化阶段。以及一个堆叠的存储芯片。包括MoP，将计算与高速内存带宽结合，过去几年里
，成本相比HBM4会更低 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，预计2030年前后实现商业化 。后端金属互连层）
，以便在供应短缺、采用3D堆叠芯片解决方案。相较于HBM
，价格
、HBC提供了更快、

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。 详情